第一节 产品技术发展现状
芯片的封装技术多种多样，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，种类不下三十种，经历了从DIP、TSOP到BGA的发展历程。芯片的封装技术已经历了几代的变革，性能日益先进，芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便。
国内引线框架 行业 从上世纪八十年代中期开始起步，我国半导体引线框架技术发展将向着细间距产品：冲压和蚀刻型引线框架的内引脚节距小于140微米；封装尺寸和引线长度缩小。湿度灵敏性（MSL）增强：微型蚀刻；改进对Ni/Pd/Au元素的表面处理；目标是达到MSL等级1。
国际市场上，引线框架及材料主要由日本、韩国、德国供货，主要有高导电、高强中导电、高强高导电三大合金系列：高导电系列的强度为400MPa-450MPa，导电率80%-85%IACS；高强中导电系列的强度达450MPa-550MPa，导电率55%-65%IACS；高强高导电率系列的抗拉强度在600Mpa以上，导电率大于80%IACS。
国内半导体封装技术发展趋势将呈现中高档封装形式（SSOP、TSOP、QFP、TQFP、PBGA等）呈逐年上升趋势，而DIP封装以每年约10%的速度在递减；DIP与SOP等中低档封装形式仍占多数。
在国内，IC封装用铜合金引线框架材料与国外同类产品相比，生产上存在品种规格少，性能不稳定，铜带成品率在40%～50%（国外在75%以上），产业化规模小等一系列问题，在板型状况、残余内应力、表面光洁度、边部毛刺、宽度与厚度公差超差、外观要求不合格等各方面的不足。与国外产品存在较大差距。
目前框架 行业 总体生产规模小，总体的技术水平和产品档次与发达国家相比还有较大差距， 行业 的投资规模和研发水平低。
第二节 产品工艺特点或流程
在生产工艺方面，国内导线架生产工艺为冲制型和刻蚀型两大类，以冲制型为主流工艺，其产量占导线架总量的95%以上的份额。刻蚀型生产主要用于高精度、多管脚、小节距、非标准产品，其数量仅占导线架总数的2%左右。
冲压制作导线架的工艺流程
蚀刻制作导线架的工艺流程
第三节 国内外技术未来发展趋势 分析
随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展，电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展，因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。
目前及可预见的未来，国际国内的半导体封装的主流封装方式仍是SOP 、QFP等必须采用引线框架的封装方式。但目前国际上出现了以球焊阵列封装（BGA），芯片尺寸封装（CSP），多芯片组件（MCM）以及系统封装（SIP），多芯片封装（MCP）等先进封装技术代替最初的DIP、SOP、QFP等必须采用引线框架的封装方式的趋势，先进的封装技术促使引线框架逐渐为层压基板材料所取代，是集成电路封装形式的发展方向。因此，从长期看，尤其是从全球范围看，塑封多层基板对单体导线架存在部分替代效应，发达国家半导体封装技术进步将影响单体导线架的需求增长幅度。但是基于全球电子产品消费的高速增长，加上国际半导体单体导线架产业向国内转移，国内单体导线架的需求将继续保持上升趋势。
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